模拟电子技术总结（四篇）

【第1篇 模拟电子技术实训总结

模拟电子技术实验心得汇总

模拟电子技术实验心得体会

在做模拟电子技术的实验前,我以为不会难做,就像以前做物理实验一样,做完实验,然后两下子就将实验报告做完.直到做完测试实验时,我才知道其实并不容易做,但学到的知识与难度成正比,使我受益匪浅.

在做实验前,一定要将课本上的知识吃透,因为这是做实验的基础,否则,在老师讲解时就会听不懂,这将使你在做实验时的难度加大,浪费做实验的宝贵时间.比如做应变片的实验,你要清楚各种电路接法,如果你不清楚,在做实验时才去摸索,这将使你极大地浪费时间,使你事倍功半.做实验时,一定要亲力亲为,务必要将每个步骤,每个细节弄清楚,弄明白,实验后,还要复习,思考,这样,你的印象才深刻,记得才牢固,否则,过后不久你就会忘得一干二净,这还不如不做.做实验时,老师还会根据自己的亲身体会,将一些课本上没有的知识教给我们,拓宽我们的眼界,使我们认识到这门课程在生活中的应用是那么的广泛.通过这学期实验,使我学到了不少实用的知识,更重要的是,做实验的过程,思考问题的方法,这与做其他的实验是通用的,真正使我们受益匪浅.

课程知识的实用性很强，因此实验就显得非常重要，刚开始做实验的时候，由于自己的理论知识基础不好，在实验过程遇到了许多的难题，也使我感到理论知识的重要性。但是我并没有气垒，在实验中发现问题，自己看书，独立思考，最终解决问题，从而也就加深我对课本理论知识的理解，达到了“双赢”的效果。

实验中我学会了各种放大电路的性能的验证；用ewb仿真技术，来仿真一些实际的电学仪器，实验过程中培养了我在实践中研究问题，分析问题和解决问题的能力以及培养了良好的工程素质和科学道德，酷猫写作范文网例如团队精神、交流能力、独立思考、测试前沿信息的捕获能力等；提高了自己动手能力，培养理论联系实际的作风，增强创新意识。

本学期实验一共做了多个放大实验，包括：晶体管共射极单管放大器，负反馈放大器，差动放大电路，集成运算放大器指标的测试，集成运算放大器的基本应运，otl功率放大器，通过这些实验，对各指标的测试，我受益匪浅：它让我深刻体会到实验前的理论知识准备，也就是要事前了解将要做的实验的有关质料，如：实验要求，实验内容，实验步骤，最重要的是要记录什么数据和怎样做数据处理，等等。虽然做实验时，指导老师会讲解一下实验步骤和怎样记录数据，但是如果自己没有一些基础知识，那时是很难作得下去的，惟有胡乱按老师指使做，其实自己也不知道做什么。

在这次实验中，我学到很多东西，加强了我的动手能力，并且培养了我的独立思考能力。特别是在做实验报告时，因为在做数据处理时出现很多问题，如果不解决的话，将会很难的继续下去。

还有动手这次实验，使模拟电子技术这门课的一些理论知识与实践相结合，更加深刻了我对模拟电子技术这门课的认识，巩固了我的理论知识。思想汇报专题经过这次的测试技术实验,我个人得到了不少的收获,一方

面加深了我对课本理论的认识,另一方面也提高了实验操作能力。现在我总结了以下的体会和经验。

这些的实验跟我们以前做的实验不同，因为我觉得这次我是真真正正的自己亲自去完成。所以是我觉得这次实验最宝贵，最深刻的。就是实验的过程全是我们学生自己动手来完成的，这样，我们就必须要弄懂实验的原理。在这里我深深体会到哲学上理论对实践的指导作用：弄懂实验原理，而且体会到了实验的操作能力是靠自己亲自动手，亲自开动脑筋，亲自去请教别人才能得到提高的。

我们做实验绝对不能人云亦云，要有自己的看法，这样我们就要有充分的准备，若是做了也不知道是个什么实验，那么做了也是白做。实验总是与课本知识相关的，比如回转机构实验，是利用频率特性分析振动的，就必须回顾课本的知识，知道实验时将要测量什么物理量，写报告时怎么处理这些物理量。

在实验过程中，我们应该尽量减少操作的盲目性提高实验效率的保证，有的人一开始就赶着做，结果却越做越忙，主要就是这个原因。我也曾经犯过这样的错误。我们做实验不要一成不变和墨守成规，应该有改良创新的精神。实际上，在弄懂了实验原理的基础上，我们的时间是充分的，做实验应该是游刃有余的，如果说创新对于我们来说是件难事，那改良总是有可能的。

在实验的过程中我们要培养自己的独立分析问题，和解决问题的能力。培养这种能力的前题是你对每次实验的态度。如果你在实验这方面很随便，抱着等老师教你怎么做，拿同学的报告去抄，尽管你的

成绩会很高，但对将来工作是不利的。比如在展现波形图的时候，经老师检查，我们的波形不太合要求，我首先是改变各个参数，发现不行，再检查电路是否正确，发现有所问题，然后不断提高逼近，最后解决问题，兴奋异常。在写实验报告，对于思考题，有很多不懂，于是去问老师，老师的启发了我，其实答案早就摆在报告中的公式，电路图中，自己要学会思考。

最后，通过这次的测试技术实验我不但对理论知识有了更加深的理解，对于实际的操作和也有了质的飞跃。经过这次的实验，我们整体对各个方面都得到了不少的提高，希望以后学校和系里能够开设更多类似的实验，能够让我们得到更好的锻炼。

模拟电子技术是一门理论性和实践性都很强的专业基础课，也是一门综合性的技术基础学科，它需要数学、物理学、电子学、知识，同时还要掌握各种物理量的变换原理、各种指标的测定，以及实验装置的设计和数据分析等方面所涉及的基础理论。许多测试理论和方法只有通过实际验证才能加深理解并真正掌握。实验就是使学生加深理解所学基础知识，掌握各类典型电路，实验器具的基本原理和适用范围；具有实验数据处理和误差分析能力；范文top100得到基本实验技能的训练与分析能力的训练，使学生初步掌

握模拟电子技术的基本方法，对各门知识得到融会贯通的认识和掌握，加深对理论知识的理解。

模拟电子技术实验课是本门课程的重要环节，其目的是培养学生的分析和解决实际问题的能力，从而掌握模拟电子技术手段，为将来从事技术工作和科学研究奠定扎实的基础。

通过本门课程实验，以下能力得到了较大的提高：

1、了解常用二极管和三极管的原理和应用，以及连接电路的注意事项及各种测试不同指标的方法。

2、培养具有综合应用相关知识来解决测试问题的基础理论；

3、培养在实践中研究问题，分析问题和解决问题的能力；我们必须坚持理论联系实际的思想，以实践证实理论，从实践中加深对理论知识的理解和掌握。实验是我们快速认识和掌握理论知识的一条重要途径。

我们认为，在这学期的实验中，在收获知识的同时，还收获了阅历，收获了成熟，在此过程中，我们通过查找大量资料，请教老师，以及不懈的努力，不仅培养了独立思考、动手操作的能力，在各种其它能力上也都有了提高。更重要的是，在实验课上，我们学会了很多学习的方法。而这是日后最实用的，真的是受益匪浅。要面对社会的挑战，只有不断的学习、实践，再学习、再实践。

这是本学期我们otl功率放大器是最后一次实验，而且是设计放大电路的典型实验,范文写作通过本实验，使得我在理论学习的基础上，加深了对放大电路的理解，熟悉了应用放大电路实现放大的目的，掌握了模拟电子技术的核心主题。我不止一次地感受到了模拟电子技术与数学知识的紧密联系以及强烈的趣味性。

临近期末，非常感谢宫老师在本学期给予我们的细致生动的“模

【第2篇 模拟电子技术基础总结

模拟电子技术基础总结

第一章 晶体二极管及应用电路

一、半导体知识

1．本征半导体

·单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅（si）和锗（ge）（图1-2）。前者是制造半导体ic的材料（三五价化合物__化镓gaas是微波毫米波半导体器件和ic的重要材料）。

·纯净（纯度>;7n）且具有完整晶体结构的半导体称为本征半导体。在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发（又称热激发或产生）（图1-3）。本征激发产生两种带电性质相反的载流子——自由电子和空穴对。温度越高，本征激发越强。

·空穴是半导体中的一种等效?q载流子。空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶格中的空位，使局部显示?q电荷的空位宏观定向运动（图1-4）。

·在一定的温度下，自由电子与空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为载流子复合。复合是产生的相反过程，当产生等于复合时，称载流子处于平衡状态。

2．杂质半导体

·在本征硅（或锗）中渗入微量5价（或3价）元素后形成n型（或p型）杂质半导体（n型：图1-5，p型：图1-6）。

·在很低的温度下，n型（p型）半导体中的杂质会全部电离，产生自由电子和杂质正离子对（空穴和杂质负离子对）。

·由于杂质电离，使n型半导体中的多子是自由电子，少子是空穴，而p型半导体中的多子是空穴，少子是自由电子。

·在常温下，多子>;>;少子（图1-7）。多子浓度几乎等于杂质浓度，与温度无关；两少子浓度是温度的敏感函数。

·在相同掺杂和常温下，si的少子浓度远小于ge的少子浓度。

3．半导体中的两种电流

在半导体中存在因电场作用产生的载流子漂移电流（这与金属导电一致）；还存在因载流子浓度差而产生的扩散电流。

4．pn结

·在具有完整晶格的p型和n型材料的物理界面附近，会形成一个特殊的薄层——pn结（图1-8）。·pn结是非中性区（称空间电荷区），存在由n区指向p区的内建电场和内建电压；pn结内载流子数远少于结外的中性区（称耗尽层）；pn结内的电场是阻止结外两区的

多子越结扩散的（称势垒层或阻挡层）。

·正偏pn结（p区外接高于n区的电压）有随正偏电压指数增大的电流；反偏pn结（p区外接低于n区的电压），在使pn结击穿前，只有其值很小的反向饱和电流is。即pn结有单向导电特性（正偏导通，反偏截止）。

v/v

?1)，其中，在t=300k时，热电压vt?26mv。·pn结的伏安方程为：i?is(e

t

·非对称pn结有pn结（p区高掺杂）和pn结（n区高掺杂），pn结主要向低范文写作

掺杂区域延伸（图1-9）。

二、二极管知识

·普通二极管内芯片就是一个pn结，p区引出正电极，n区引出负电极（图1-13）。·在低频运用时，二极的具有单向导电特性，正偏时导通，si管和ge管导通电压典型值分别是0.7v和0.3v；反偏时截止，但ge管的反向饱和电流比si管大得多（图1-15）。

·低频运用时，二极管是一个非线性电阻，其交流电阻不等于其直流电阻。

?di?rdd?

?dvd?

?

q 二极管交流电阻rd定义：

·稳压管电路设计时，要正确选取限流电阻，使稳压管在一定的负载条件下正常工作。

二极管交流电阻rd估算：rd?vtid

·二极管的低频小信号模型就是交流电阻rd，它反映了在工作点q处，二极管的微变电流与微变电压之间的关系。

·二极管的低频大信号模型是一种开关模型，有理想开关、恒压源模型和折线模型三种近似（图1-20）。

三、二极管应用

1．单向导电特性应用

·整流器：半波整流（图1-28），全波整流（图p1-8a），桥式整流（图p1-8b） ·限幅器：顶部限幅，底部限幅，双向限幅（图p1-9）

·钳位电路_

思想汇报专题·通信电路中的应用_：检波器、混频器等 2．正向导通特性及应用

二极管正向充分导通时只有很小的交流电阻，近似于一个0.7v（si管）或0.3v（ge管）的恒压源。

3．反向击穿及应用

·二极管反偏电压增大到一定值时，反向电流突然增大的现象即反向击穿。

·反向击穿的原因有价电子被碰撞电离而发生的“雪崩击穿”和价电子被场效激发而发生的“齐纳击穿”。

·反向击穿电压十分稳定，可以用来作稳压管（图1-33）。

4．高频时的电容效应及应用

·高频工作时，二极管失去单向导电特性，其原因是管内的pn结存在电容效应（结电容）。

·结电容分为pn结内的势垒电容ct与pn结两侧形成的扩散电容cd。·ct随偏压的增大而增大，cd与正偏电流近似成正比。

·反偏二极管在高频条件下，其等效电路主要是一个势垒电容ct。利用这一特性的二极管称为变容二极管。变容二极管在通信电路中有较多的应用。

第二章 双极型晶体三极管（bjt）

一、bjt原理

·双极型晶体管（bjt）分为npn管和pnp管两类（图2-1，范文top100图2-2）。

·当bjt发射结正偏，集电结反偏时，称为放大偏置。在放大偏置时，npn管满足

vc?vb?vc

；pnp管满足vc?vb?ve。

be

v

ie?iese·放大偏置时，作为pn结的发射结的va关系是：

/vt

v

ie?iese（npn），

bet

/v

（pnp）。

·在bjt为放大偏置的外部条件和基区很薄、发射区较基区高掺杂的内部条件下，发射极电流ie将几乎转化为集电流ic，而基极电流较小。

?

icnie

·在放大偏置时，定义了

（icn是由ie转化而来的ic分量）极之后，可以导

出两个关于电极电流的关系方程：ic?ie?icbo

icib?(1)icboib?iceo

3

其中

1?，iceo是集电结反向饱和电流，iceo?(1)icbo是穿透电流。

·放大偏置时，在一定电流范围内，ie、ic、ib基本是线性关系，而vbe对三个电流都是指数非线性关系。

·放大偏置时：三电极电流主要受控于vbe，而反偏vcb通过基区宽度调制效应，对电流有较小的影响。影响的规律是；集电极反偏增大时，ic，ie增大而ib减小。·发射结与集电结均反偏时bjt为截止状态，发射结与集电结都正偏时，bjt为饱和状态。

二、bjt静态伏安特性曲线

·三端电子器件的伏安特性曲线一般是画出器件在某一种双口组态时输入口和输出口的伏安特性曲线族。bjt常用ce伏安特性曲线酷猫写作范文网，其画法是：

输入特性曲线：输出特性曲线：

ib?f(vbe)vib?f(vce)

ce常数

（图2-13）

ib常数

（图2-14）

·输入特性曲线一般只画放大区，典型形状与二极管正向伏安特性相似。·输出特性曲线族把伏安平面分为4个区（放大区、饱和区、截止区和击穿区）放大区近似的等间隔平行线，反映?近似为常数，放大区曲线向上倾是基区宽度调制效应所致。

·当温度增加时，会导致?增加，icbo增加和输入特性曲线左移。

三、bjt主要参数

lim

?ic?ie

q

·电流放大系数：直流?，直流；交流满足

?

0

lim

?ic?ib

q

和

0

，?、?也

·极间反向电流：集电结反向饱和和电流icbo；穿透电流iceo

·极限参数：集电极最大允许功耗pcm；基极开路时的集电结反向击穿电压bvceo；集电极最大允许电流icm

·特征频率ft

4

bjt小信号工作，当频率增大时使信号电流ic与ib不同相，也不成比例。若用相量

表示为ic，ib，则icib称为高频?。ft是当高频?的模等于1时的频率。

四、bjt小信号模型

·无论是共射组态或共基组态，其放大电压信号的物理过程都是输入信号使正偏发射结电压变化，经放大偏置bjt内部的vbe的正向控制过程产生集电极电流的相应变化（ic出现信号电流ic），ic在集电极电阻上的交流电压就是放大的电压信号。

·当发射结上交流电压|vbe|?5mv时，bjt的电压放大才是工程意义上的线性放大。·bjt混合?小信号模型是在共射组态下推导出的一种物理模型（图2-28），模型中有七个参数：

基本参数：基区体电阻rbb?，由厂家提供、高频管的rbb?比低频管小

rb?e?(1)

vtie

?(1)re

基区复合电阻rb?e：估算式：，re——发射结交流电阻

跨导gm：估算gm?ic/vt?38.5ic（ms），?rb?e,gm关系:rb?egm?基调效应参数 rce：估算rce?va/ic，va——厄利电压

rb?c：估算rb?crce

300k

1gm

?re

以上参数满足：

rb?crcerb?e

高频参数：集电结电容 cb?c：由厂家给出；

cb?e?

gm2?ft

?cb?c

发射结电容cb?e：估算

_

·最常用的bjt模型是低频简化模型

（1）电压控制电流源（ic?gmvb?e）模型（图2-23）

（2）电流控制电流源（icib）模型（图2-24，常用），其中rbe?rbbrb?e

5

【第3篇 模拟电子技术基础知识总结

模拟电子技术基础知识总结

一.半导体的基础知识

1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅si、锗ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。

_p型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴，少子是电子)。

_n型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子，少子是空穴)。

6. 杂质半导体的特性

_载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。_体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 7. pn结

_ pn结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。

_ pn结的导通电压---硅材料约为0.6~0.8v，锗材料约为0.2~0.3v。 8. pn结的伏安特性

二. 半导体二极管

_单向导电性------正向导通，反向截止。 _二极管伏安特性----同pn结。

_正向导通压降------硅管0.6~0.7v，锗管0.2~0.3v。 _死区电压------硅管0.5v，锗管0.1v。

3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 v阳 >;v阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 v阳

该式与伏安特性曲线

的交点叫静态工作点q。

2) 等效电路法

直流等效电路法

_总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 v阳 >;v阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 v阳

微变等效电路法

三. 稳压二极管及其稳压电路

_稳压二极管的特性---正常工作时处在pn结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。

三极管及其基本放大电路

一. 三极管的结构、类型及特点 1.类型---分为npn和pnp两种。

2.特点---基区很薄，且掺杂浓度最低;发射区掺杂浓度很高，与基区接触面积较小;集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。 二. 三极管的工作原理 1. 三极管的三种基本组态

2. 三极管内各极电流的分配

_ 共发射极电流放大系数 (表明三极管是电流控制器件

式子

称为穿透电流。

3. 共射电路的特性曲线

_输入特性曲线---同二极管。

_ 输出特性曲线

(饱和管压降，用uces表示

放大区---发射结正偏，集电结反偏。 截止区---发射结反偏，集电结反偏。 饱和区---发射结和集电结均正偏。 4. 温度影响

温度升高，输入特性曲线向左移动。

温度升高icbo、 iceo 、 ic以及β均增加。 三. 低频小信号等效模型(简化) rbe---输出端交流短路时的输入电阻，

β---输出端交流短路时的正向电流传输比， 常用β表示;

四. 基本放大电路组成及其原则

1. vt、 vcc、 rb、 rc 、c1、c2的作用。 2.组成原则----能放大、不失真、能传输。 五. 放大电路的图解分析法 1. 直流通路与静态分析

_概念---直流电流通的回路。 _画法---电容视为开路。 _作用---确定静态工作点

_直流负载线---由vcc=icrc+uce 确定的直线。

_电路参数对静态工作点的影响

1)改变rb ：q点将沿直流负载线上下移动。

2)改变rc ：q点在ibq所在的那条输出特性曲线上移动。 3)改变vcc：直流负载线平移，q点发生移动。 2. 交流通路与动态分析

_概念---交流电流流通的回路

_画法---电容视为短路,理想直流电压源视为短路。 _作用---分析信号被放大的过程。

_交流负载线--- 连接q点和v cc点 v cc= uceq+icqr l的 直线。

3. 静态工作点与非线性失真

(1)截止失真

_产生原因---q点设置过低

_失真现象---npn管削顶，pnp管削底。 _消除方法---减小rb，提高q。 (2) 饱和失真

_产生原因---q点设置过高

_失真现象---npn管削底，pnp管削顶。 _消除方法---增大rb、减小rc、增大vcc 。

4. 放大器的动态范围

(1) uopp---是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。 (2)范围

_当(uceq-uces)>;(vcc’ - uceq )时，受截止失真限制，uopp=2uoma_=2icqrl’。

_当(uceq-uces)<(vcc’ - uceq )时，受饱和失真限制，uopp=2uoma_=2 (uceq-uces)。

_当(uceq-uces)=(vcc’ - uceq )，放大器将有最大的不失真输出电压。 六. 放大电路的等效电路法 1. 静态分析

(1)静态工作点的近似估算

(2)q点在放大区的条件

欲使q点不进入饱和区，应满足rb>;βrc 。 2. 放大电路的动态分析

_ 放大倍数

_ 输入电阻

_ 输出电阻

集成运放：将管线结合在一起制成的具有处理模拟信号的电路称为运算放大电路。

集成运算放大电路中的`元器件的参数具有良好的一致性。 二：集成运算

放大电路的组成：

1. 输入级(差模信号，up-un),抑制温漂。

2. 中间级(复合管放大电路)。

3. 输出级(互补输出电路)。

4. 偏置电路(电流源电路为其提供合适的静态工作点)。 三：抑制温漂(零点漂移)的办法：

1. 直流负反馈

2. 温度补偿(利用热敏元件来抵消管子的变化)

3. 构成差分放大电路

四：失真：

1. 线性失真(我们所要的,构成电路的放大)

2. 非线性失真：a:饱和失真b：截止失真。

3. 交越失真。(直接耦合互补输出级)。

五：多级放大电路的耦合方式:

1. 直接耦合：低频特性好，便与集成化;存在温漂问题。

2. 阻容耦合：便于计算静态工作点，低频特性差。

3. 变压器耦合：低频特性差，实现阻抗变换;常用于调谐放大电路，

功率放大电路。

4. 光电耦合：

六：3种最基本的单级放大电路。

1. 共发射极电路具有集电极电阻rc将三极管集电极电流的变化转化成集电极电压的变化。

2. 共集电极单级放大器无集电极负载电阻，输出信号取自发射级(发射级电压跟随器)。 原因：三级管进入放大工作状态后，基极与发射级之间的pn结已处于导通状态，这一pn结导通后压降大小基本不变，硅管0.7v。

3. 共基极放大器。

七：正弦波振荡电路的组成：

1. 放大电路

2. 选频网络

3. 正反馈网络

4. 稳幅环节。

八：负反馈对放大电路特性的影响：

1. 稳定放大倍数

2. 改变输入输出电阻：

串联负反馈增大输入电阻

并联负反馈减小输入电阻

电压负反馈减小输出电阻

电流负反馈增大输出电阻

九：引入负反馈的原则：

1. 为了稳定静态工作点应引入直流负反馈，为了改善电路的动态性能则应引入交流负反馈。

2. 为了稳定输出电压(即减小输出电阻，增强带负载能力)，应引入电压负反馈

3. 为了稳定输出电流(即增大输出电阻)应引入电流负反馈

4. 为了提高输出电阻(即减小放大电路下信号源所取的电流)应引入串联负反馈

5. 为了减小输入电阻应引入并联负反馈

十：交流负反馈的四种组态：

1. 电压串联

2. 电流串联

3. 电压并联

4. 电流并联

十一：负反馈的四大好处：

1. 稳定放大倍数

2. 改变电路的输入输出电阻

3. 展宽频带

4. 减小非线性失真

【第4篇 模拟电子技术实训总结-工作总结

模拟电子技术实训总结-工作总结

在做模拟电子技术的实验前，我以为不会难做，就像以前做物理实验一样，做完实验，然后两下子就将实验报告做完。直到做完测试实验时，我才知道其实并不容易做，但学到的知识与难度成正比，使我受益匪浅。

在做实验前，一定要将课本上的知识吃透，因为这是做实验的基础，否则，在老师讲解时就会听不懂，这将使你在做实验时的难度加大，浪费做实验的宝贵时间。比如做应变片的实验，你要清楚各种电路接法，如果你不清楚，在做实验时才去摸索，这将使你极大地浪费时间，使你事倍功半。做实验时，一定要亲力亲为，务必要将每个步骤，每个细节弄清楚，弄明白，实验后，还要复习，思考，这样，你的印象才深刻，记得才牢固，否则，过后不久你就会忘得一干二净，这还不如不做。做实验时，老师还会根据自己的亲身体会，将一些课本上没有的知识教给我们，拓宽我们的眼界，使我们认识到这门课程在生活中的应用是那么的广泛。通过这学期实验，使我学到了不少实用的知识，更重要的是，做实验的过程，思考问题的方法，这与做其他的实验是通用的，真正使我们受益匪浅。

课程知识的实用性很强，因此实验就显得非常重要，刚开始做实验的时候，由于自己的理论知识基础不好，在实验过程遇到了许多的难题，也使我感到理论知识的重要性。但是我并没有气垒，在实验中发现问题，自己看书，独立思考，最终解决问题，从而也就加深我对课本理论知识的理解，达到了“双赢”的效果。

实验中我学会了各种放大电路的性能的验证；用ewb仿真技术，来仿真一些实际的电学仪器，实验过程中培养了我在实践中研究问题，分析问题和解决问题的能力以及培养了良好的工程素质和科学道德，例如团队精神、交流能力、独立思考、测试前沿信息的捕获能力等；提高了自己动手能力，培养理论联系实际的作风，增强创新意识。

本学期实验一共做了多个放大实验，包括：晶体管共射极单管放大器，负反馈放大器，差动放大电路，集成运算放大器指标的测试，集成运算放大器的基本应运，otl功率放大器，通过这些实验，对各指标的测试，我受益匪浅：它让我深刻体会到实验前的理论知识准备，也就是要事前了解将要做的实验的有关质料，如：实验要求，实验内容，实验步骤，最重要的是要记录什么数据和怎样做数据处理，等等。虽然做实验时，指导老师会讲解一下实验步骤和怎样记录数据，但是如果自己没有一些基础知识，那时是很难作得下去的，惟有胡乱按老师指使做，其实自己也不知道做什么。

在这次实验中，我学到很多东西，加强了我的动手能力，并且培养了我的独立思考能力。特别是在做实验报告时，因为在做数据处理时出现很多问题，如果不解决的话，将会很难的继续下去。

还有动手这次实验，使模拟电子技术这门课的一些理论知识与实践相结合，更加深刻了我对模拟电子技术这门课的认识，巩固了我的理论知识。经过这次的测试技术实验，我个人得到了不少的收获，一方面加深了我对课本理论的认识，另一方面也提高了实验操作能力。现在我总结了以下的体会和经验。

这些的实验跟我们以前做的实验不同，因为我觉得这次我是真真正正的自己亲自去完成。所以是我觉得这次实验最宝贵，最深刻的。就是实验的过程全是我们学生自己动手来完成的，这样，我们就必须要弄懂实验的原理。在这里我深深体会到哲学上理论对实践的指导作用：弄懂实验原理，而且体会到了实验的操作能力是靠自己亲自动手，亲自开动脑筋，亲自去请教别人才能得到提高的。

我们做实验绝对不能人云亦云，要有自己的看法，这样我们就要有充分的准备，若是做了也不知道是个什么实验，那么做了也是白做。实验总是与课本知识相关的，比如回转机构实验，是利用频率特性分析振动的，就必须回顾课本的知识，知道实验时将要测量什么物理量，写报告时怎么处理这些物理量。

在实验过程中，我们应该尽量减少操作的盲目性提高实验效率的保证，有的人一开始就赶着做，结果却越做越忙，主要就是这个原因。我也曾经犯过这样的错误。我们做实验不要一成不变和墨守成规，应该有改良创新的精神。实际上，在弄懂了实验原理的基础上，我们的时间是充分的，做实验应该是游刃有余的，如果说创新对于我们来说是件难事，那改良总是有可能的。

在实验的过程中我们要培养自己的独立分析问题，和解决问题的能力。培养这种能力的前题是你对每次实验的.态度。如果你在实验这方面很随便，抱着等老师教你怎么做，拿同学的报告去抄，尽管你的

成绩会很高，但对将来工作是不利的。比如在展现波形图的时候，经老师检查，我们的波形不太合要求，我首先是改变各个参数，发现不行，再检查电路是否正确，发现有所问题，然后不断提高逼近，最后解决问题，兴奋异常。在写实验报告，对于思考题，有很多不懂，于是去问老师，老师的启发了我，其实答案早就摆在报告中的公式，电路图中，自己要学会思考。

最后，通过这次的测试技术实验我不但对理论知识有了更加深的理解，对于实际的操作和也有了质的飞跃。经过这次的实验，我们整体对各个方面都得到了不少的提高，希望以后学校和系里能够开设更多类似的实验，能够让我们得到更好的锻炼。

模拟电子技术是一门理论性和实践性都很强的专业基础课，也是一门综合性的技术基础学科，它需要数学、物理学、电子学、知识，同时还要掌握各种物理量的变换原理、各种指标的测定，以及实验装置的设计和数据分析等方面所涉及的基础理论。许多测试理论和方法只有通过实际验证才能加深理解并真正掌握。实验就是使学生加深理解所学基础知识，掌握各类典型电路，实验器具的基本原理和适用范围；具有实验数据处理和误差分析能力；得到基本实验技能的训练与分析能力的训练，使学生初步掌握模拟电子技术的基本方法，对各门知识得到融会贯通的认识和掌握，加深对理论知识的理解。

模拟电子技术实验课是本门课程的重要环节，其目的是培养学生的分析和解决实际问题的能力，从而掌握模拟电子技术手段，为将来从事技术工作和科学研究奠定扎实的基础。

通过本门课程实验，以下能力得到了较大的提高：

1、了解常用二极管和三极管的原理和应用，以及连接电路的注意事项及各种测试不同指标的方法。

2、培养具有综合应用相关知识来解决测试问题的基础理论；

3、培养在实践中研究问题，分析问题和解决问题的能力；我们必须坚持理论联系实际的思想，以实践证实理论，从实践中加深对理论知识的理解和掌握。实验是我们快速认识和掌握理论知识的一条重要途径。

我们认为，在这学期的实验中，在收获知识的同时，还收获了阅历，收获了成熟，在此过程中，我们通过查找大量资料，请教老师，以及不懈的努力，不仅培养了独立思考、动手操作的能力，在各种其它能力上也都有了提高。更重要的是，在实验课上，我们学会了很多学习的方法。而这是日后最实用的，真的是受益匪浅。要面对社会的挑战，只有不断的学习、实践，再学习、再实践。

这是本学期我们otl功率放大器是最后一次实验，而且是设计放大电路的典型实验，通过本实验，使得我在理论学习的基础上，加深了对放大电路的理解，熟悉了应用放大电路实现放大的目的，掌握了模拟电子技术的核心主题。我不止一次地感受到了模拟电子技术与数学知识的紧密联系以及强烈的趣味性。